贵州芯长征科技有限公司

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Trench MOSFET

VD MOSFET

SiC Diode

IGBT

Super junction  MOSFET

Trench MOSFET

Part Number

Package

V(BR)DSS(V)

ID(A)@25℃

PD(W)@25℃

VGS(th)(V)

@250μA

RDS(on)(mΩ)

@VGS=10V/4.5V, 25℃

Ciss(pf)

Qg(nC)

10V

4.5V

Typ

Min

Max

Typ

Max

Typ

Max

MP8205A

SOT23-6

0.83

0.45

MPTP80R08

TO-220

200

8.5

9.5

2604

49.9

VD MOSFET

Part Number	Package	V(BR)DSS(V)	ID(A)@25℃	PD(W) @25℃	VGS(th)(V) @250μA		RDS(on)(Ω) @VGS=10V,25℃		Ciss(pf)	Qg(nC)
Part Number	Package	V(BR)DSS(V)	ID(A)@25℃	PD(W) @25℃	Min	Max	Typ	Max	Ciss(pf)	Qg(nC)
MPVA5N50	TO-220F	500	5	30	2	4	1.2	1.5	490	16
MPVA13N50	TO-220F	500	13	45	2	4	0.46	0.6	1580	41
MPVA2N60	TO-220F	600	2	23	2	4	3.9	4.5	250	8.4
MPVP2N60	TO-220	600	2	54	2	4	3.9	4.5	250	8.4
MPVT2N60	TO-126	600	2	46	2	4	3.9	4.5	380	8.4
MPVD2N60	TO-252	600	2	46	2	4	3.9	4.5	380	8.4
MPVU2N60	TO-251	600	2	46	2	4	3.9	4.5	380	8.4
MPVA4N60	TO-220F	600	4	80	2	4	2.1	2.5	710	12
MPVD4N60	TO-252	600	4	80	2	4	2.1	2.5	710	12
MPVU4N60	TO-251	600	4	80	2	4	2.1	2.5	710	12
MPVA7N60	TO-220F	600	7	20	2	4	1.2	1.4	968	23
‍ MPVA8N50	TO-220F	500	8	39	3	5	0.76	0.85	1206	32
‍ MPVA10N60	TO-220F	600	10	40	2	4	0.6	0.75	2000	35
MPVP8N60	TO-220	600	8	147	2	4	——	1.2	1006	32
MPVP10N60	TO-220	600	10	40	2	4	0.6	0.75	2000	35
MPVP12N60	TO-220	600	12	210	2	4	0.65	0.65	2213	41
MPVA2N65	TO-220F	650	2	23	2	4	4.6	4.6	250	8.4
MPVP2N65	TO-220	650	2	54	2	4	4.6	4.6	250	8.4
MPVD2N65	TO-252	650	2	46	2	4	4.6	4.6	380	8.4
MPVU2N65	TO-251	650	2	46	2	4	4.6	4.6	380	8.4
MPVD4N65	TO-252	650	4	80	2	4	2.5	2.5	710	16
MPVU4N65	TO-251	650	4	80	2	4	2.5	2.5	710	16
MPVA4N65	TO-251	650	4	80	2	4	2.1	2.5	710	16
MPVA7N65	TO-220F	650	7	46	2	4	1.35	1.35	1100	20
MPVD7N65	TO-252	650	7	58	2	4	1.35	1.35	760	20
MPVU7N65	TO-251	650	7	58	3	5	1.35	1.35	760	20
MPVA8N65	TO-220F	650	8	40	2	4	1.3	1.3	2006	32
MPVA10N65	TO-220F	650	10	50	2	4	0.9	0.9	1600	45
MPVP10N65	TO-220F	650	10	50	2	4	0.9	0.9	1600	45
MPVA12N65	TO-220F	650	12	51	2	4	0.65	0.65	2100	42
MPVP12N65	TO-220	650	12	215	2	4	0.85	0.85	2213	42
MPVD4N70	TO-252	700	4	32	3	5	2.5	3	703	15.5
MPVU6N70	TO-251	700	6	48	3	5	1.6	2.2	703	17.5

SiC Diode

Part Number	Package	VRRM (V)	If(A)@ 150℃	Ptot(W)@25℃	Vf(V)				Qc(nC)
					25℃		175℃		Typ
					Typ	Max	Typ	Max	Typ
MPCC06N65	TO-220-2	650	6	111	1.5	1.8	2.2		22
MPCC08N65	TO-220-2	650	8	119	1.5	1.8	2.2		26
MPCC10N65	TO-220-2	650	10	139	1.5	1.8	2		33
MPCC10N120	TO-220-2	1200	10	205	1.5	1.8	2.2		50

IGBT

Part Number	Package	V(BR)CES (V)	IC(A)@100℃	VGE(th)(V)	VCE(sat) (V)@VGE=15V 25℃		With FRD（Y/N）
Part Number	Package	V(BR)CES (V)	IC(A)@100℃	Typ	Typ	Max	With FRD（Y/N）
MPBC10N60B	TO-263	600	10	5.4	1.8	2.2	Y
MPBP10N60B	TO-220	600	10	5.4	1.8	2.2	Y
MPBA15N60B	TO-220F	600	15	5.7	1.7	2.4	Y
MPBC15N60B	TO-263	600	15	5.7	1.7	2.4	Y
MPBT40N60B	TO-3P	600	40	5.7	1.8	2.3	Y
MPBW40N60B	TO-247	600	40	5.7	1.8	2.3	Y
MPBW40N65BU	TO-247	650	40	5.7	1.9	2.4	Y
MPBW40N60BF	TO-247	600	40	5.7	1.8	2.3	Y
MPBW40N120B	TO-247	1200	40	5.8	1.9	2.4	Y

Super junction  MOSFET

Part Number

Package

V(BR)

DSS(V)

ID(A)

@25℃

PD(W)

@25℃

VGS(th)(V)

RDS(on)(mΩ)

@VGS=10V/4.5V, 25℃

Ciss(pf)

Qg(nC)

10V

4.5V

Typ

Min

Max

Typ

Max

Typ

Max

MPSW60M082

TO-247

600

391

3680

MPSW60M041

TO-247

600

481

7360

140

Marching Power

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