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VD MOSFET
芯长征的VD MOSFET——兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，无论是开关应用还是线形应用，VDMOS都是理想的功率器件。
芯长征VD MOSFET，采用条形元胞结构，通过在工艺上对N-JFET的调整，减小JFET效应，使器件的导通电阻减小，从而降低了器件工作时的温升，提高了系统的转换效率，同时在EAS能力方面具有较大优势，产品的电压覆盖范围500V~800V，电流覆盖2A~25安培，可提供更多的产品选择。
产品特点
·低Crss和低Qg, 降低开关损耗；
·低导通阻抗，降低导通损耗 ；
·高抗浪涌能力
产品
Part Number | Package | VDSS(V) | ID(A)@25℃ | V(GS)th(V)@250μA | RDS(on)(Ω)@VGS=10V 25℃ | QG(nC) | |
min | max | typ | |||||
| MPVX5N50CCFD | TO-251、TO-252 | 500 | 5 | 3.5 | 5 | 1.4 | 14.5 |
| MPVA13N50F | TO-220F | 500 | 13 | 2 | 4 | 0.36 | 36 |
| MPVX20N50B | TO-220F TO-220 TO-247 TO-3P | 500 | 20 | 3 | 4 | 0.24 | 75 |
| MPVA20N50F | TO-220F | 500 | 20 | 2 | 4 | 0.21 | 60 |
| MPVX2N65F | TO-220F TO-251 TO-252 | 650 | 2 | 2 | 4 | 4.5 | 6.3 |
| MPVX4N65F | TO-220F TO-251 TO-252 | 650 | 4 | 2 | 4 | 2.3 | 11 |
| MPVA7N65F | TO-220F | 650 | 7 | 2 | 4 | 1.1 | 19 |
| MPVD7N65F | TO-252 | 650 | 7 | 2 | 4 | 1.2 | 19 |
| MPVA10N65F | TO-220F | 650 | 10 | 2 | 4 | 0.82 | 29 |
| MPVA12N65F | TO-220F | 650 | 12 | 2 | 4 | 0.62 | 36 |
| MPVX20N65F | TO-220F TO-220 | 650 | 20 | 2 | 4 | 0.38 | 60 |
| MPVX4N70F | TO-220F TO-251 TO-252 | 700 | 4 | 2 | 4 | 2.9 | 11 |
